Опубликовано в рубрике Компания Samsung Electronics начинает массовое производство чипов памяти Universal Flash Storage 2.0 (UFS) объёмом 256 Гбайт, которые предназначены для мобильных устройств верхнего ценового сегмента. Новые чипы, построенные по технологии 3D V-NAND, способны предложить скорость чтения до 850 Мбайт/с и скорость записи 260 Мбайт/с, тем самым значительно превосходя карты памяти microSD и SSD-накопители с интерфейсом SATA 3.0.
Отметим, что чипы памяти UFS 2.0 объёмом 128 Гбайт были представлены Samsung в феврале прошлого года, и компания использовала их в смартфонах Galaxy S6. Но в этом году, по всей видимости, корейский производитель не успел доработать чипы и не стал выпускать версию флагманского Galaxy S7 с 256 Гбайт встроенной памяти.
В Samsung заявили, что новые чипы объёмом 256 Гбайт появятся во флагманских смартфонах следующего поколения. Также сообщается, что корейская компания выпустит устройства с данными чипами памяти уже в этом году, возможно даже, что это будет следующий представитель семейства смартфонов Galaxy Note.
Производитель отмечает, что необходимость в столь ёмких чипах быстрой памяти возрастает с увеличением популярности мобильных устройств с дисплеями высокого разрешения. Также отмечается, что с появлением мобильных устройств c памятью UFS 2.0 и интерфейсом USB 3.0 значительно возрастёт скорость передачи данных между устройствами.